SiC субстраты Dia200mm 4H-N жана HPSI кремний карбиди

4H-N жана HPSI – бул кремний карбидинин (SiC) политипи, анын кристаллдык торчо түзүлүшү төрт көмүртек жана төрт кремний атомунан турган алты бурчтуу бирдиктерден турат. Бул түзүлүш материалга эң сонун электрон кыймылдуулугун жана бузулуу чыңалуу мүнөздөмөлөрүн берет. Бардык SiC политиптеринин ичинен 4H-N жана HPSI тең салмактуу электрон жана тешик кыймылдуулугу жана жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгүнөн улам электрдик электроника тармагында кеңири колдонулат.

8 дюймдук SiC субстраттарынын пайда болушу электр өткөргүчтөрү өнөр жайы үчүн олуттуу жетишкендик болуп саналат. Салттуу кремний негизиндеги жарым өткөргүч материалдар жогорку температура жана жогорку чыңалуу сыяктуу экстремалдык шарттарда иштөөдө олуттуу төмөндөөгө дуушар болушат, ал эми SiC субстраттары эң сонун иштөөсүн сактай алышат. Кичинекей субстраттарга салыштырмалуу, 8 дюймдук SiC субстраттары бир бөлүктүү иштетүү аянтынын чоңураак болушун камсыз кылат, бул өндүрүштүн натыйжалуулугун жогорулатат жана чыгымдарды азайтат, бул SiC технологиясын коммерциялаштыруу процессин алдыга жылдыруу үчүн абдан маанилүү.

8 дюймдук кремний карбидинин (SiC) субстраттарын өстүрүү технологиясы өтө жогорку тактыкты жана тазалыкты талап кылат. Субстраттын сапаты кийинки түзмөктөрдүн иштешине түздөн-түз таасир этет, андыктан өндүрүүчүлөр субстраттардын кристаллдык кемчиликсиздигин жана төмөн кемчиликтер тыгыздыгын камсыз кылуу үчүн алдыңкы технологияларды колдонушу керек. Бул, адатта, татаал химиялык буу чөктүрүү (CVD) процесстерин жана кристаллдарды өстүрүүнүн жана кесүүнүн так ыкмаларын камтыйт. 4H-N жана HPSI SiC субстраттары, айрыкча, жогорку натыйжалуу кубаттуулуктагы конвертерлерде, электр унаалары үчүн тартуу инверторлорунда жана кайра жаралуучу энергия системаларында электр электроникасы тармагында кеңири колдонулат.

Биз 4H-N 8 дюймдук SiC субстратын, ар кандай класстагы субстрат пластиналарын камсыздай алабыз. Ошондой эле, сиздин муктаждыктарыңызга жараша ыңгайлаштырууну уюштура алабыз. Сурамыңызга кош келиңиз!