Кремний карбиди (SiC) вафли кайыгы

Кремний карбиди (SiC) пластиналуу кайык Сунушталган сүрөт

Кыскача сүрөттөмө:

Кремний карбиди (SiC) пластиналуу кайык – бул эпитаксия, кычкылдануу, диффузия жана күйгүзүү сыяктуу маанилүү жогорку температуралык процесстерде пластиналарды кармоо жана ташуу үчүн иштелип чыккан жогорку тазалыктагы SiC материалынан жасалган жарым өткөргүч процесстик ташуучу.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз

Өзгөчөлүктөрү

Толук диаграмма

Кварц айнегине сереп

Кубаттуу жарым өткөргүчтөрдүн жана кең тилкелүү түзүлүштөрдүн тез өнүгүшү менен, кадимки кварц кайыктары жогорку температурада деформация, бөлүкчөлөрдүн катуу булганышы жана кыска кызмат мөөнөтү сыяктуу чектөөлөргө туш болууда. Жогорку жылуулук туруктуулугу, аз булганышы жана узак кызмат мөөнөтү менен мүнөздөлгөн SiC пластиналуу кайыктар кварц кайыктарын барган сайын алмаштырып, SiC түзмөктөрүн өндүрүүдө артыкчылыктуу тандоого айланууда.

Негизги өзгөчөлүктөр

1. Материалдык артыкчылыктар

Жогорку тазалыктагы SiCден жасалганжогорку катуулук жана бекемдик.
2700°C жогору эрүү температурасы, кварцка караганда бир топ жогору, бул экстремалдык чөйрөдө узак мөөнөттүү туруктуулукту камсыз кылат.

2. Жылуулук касиеттери

Тез жана бирдей жылуулук өткөрүмдүүлүгү үчүн жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү, пластинанын чыңалышын минималдаштырат.
Жылуулук кеңейүү коэффициенти (ЖКК) SiC субстраттарына абдан дал келет, бул пластинанын ийилишин жана жарака кетишин азайтат.

3. Химиялык туруктуулук

Жогорку температурада жана ар кандай атмосфераларда (H₂, N₂, Ar, NH₃ ж.б.) туруктуу.
Мыкты кычкылданууга туруктуулук, ажыроо жана бөлүкчөлөрдүн пайда болушунун алдын алат.

4. Процесстин иштеши

Жылмакай жана тыгыз бет бөлүкчөлөрдүн төгүлүшүн жана булганууну азайтат.
Узак мөөнөттүү колдонуудан кийин өлчөмдүү туруктуулукту жана жүк көтөрүмдүүлүгүн сактайт.

5. Чыгымдардын натыйжалуулугу

Кварц кайыктарына караганда 3-5 эсе узак кызмат мөөнөтү.
Техникалык тейлөө жыштыгын төмөндөтүү, иштебей калуу убактысын жана алмаштыруу чыгымдарын азайтуу.

Колдонмолор

SiC эпитаксиясыЖогорку температурадагы эпитаксиалдык өсүү учурунда 4 дюймдук, 6 дюймдук жана 8 дюймдук SiC субстраттарын колдоо.
Электр түзүлүшүн жасоо: SiC MOSFETтери, Шоттки тосмо диоддору (SBD), IGBTлери жана башка түзмөктөр үчүн идеалдуу.
Термикалык дарылооКүйгүзүү, нитрлөө жана көмүрлөштүрүү процесстери.
Кычкылдануу жана диффузияЖогорку температурадагы кычкылдануу жана диффузия үчүн туруктуу пластинаны колдоо платформасы.

Техникалык мүнөздөмөлөр

Буюм	Техникалык мүнөздөмө
Материал	Жогорку тазалыктагы кремний карбиди (SiC)
Вафли өлчөмү	4 дюймдук / 6 дюймдук / 8 дюймдук (ыңгайлаштырылуучу)
Максималдуу иштөө температурасы.	≤ 1800°C
Термикалык кеңейүү CTE	4.2 × 10⁻⁶ /K (SiC субстратына жакын)
Жылуулук өткөрүмдүүлүгү	120–200 Вт/м·К
Беттин оройлугу	Ra < 0.2 мкм
Параллелизм	±0,1 мм
Кызмат мөөнөтү	Кварц кайыктарына караганда ≥ 3 эсе узунураак

Салыштыруу: Кварц кайыгы жана SiC кайыгы

Өлчөмү	Кварц кайыгы	SiC кайыгы
Температурага туруктуулук	≤ 1200°C, жогорку температурада деформация.	≤ 1800°C, термикалык жактан туруктуу
CTE менен SiC дал келүүсү	Чоң дал келбестик, пластинанын чыңалуу коркунучу	Жакын дал келүү, пластинанын жарылышын азайтат
Бөлүкчөлөрдүн булганышы	Жогорку, кошулмаларды пайда кылат	Жай, жылмакай жана тыгыз бети
Кызмат мөөнөтү	Кыска жана тез-тез алмаштыруу	Узак, 3–5 эсе узак өмүр сүрүү
Ылайыктуу процесс	Кадимки Si эпитаксиясы	SiC эпитакси жана кубат берүүчү түзүлүштөр үчүн оптималдаштырылган

Көп берилүүчү суроолор – Кремний карбиди (SiC) вафли кайыктары

1. SiC пластиналуу кайык деген эмне?

SiC пластиналуу кайык – бул жогорку тазалыктагы кремний карбидинен жасалган жарым өткөргүч процессти алып жүрүүчү. Ал эпитаксия, кычкылдануу, диффузия жана күйгүзүү сыяктуу жогорку температуралуу процесстерде пластиналарды кармоо жана ташуу үчүн колдонулат. Кадимки кварцтык кайыктарга салыштырмалуу SiC пластиналуу кайыктар жогорку жылуулук туруктуулугун, аз булганууну жана узак кызмат мөөнөтүн сунуштайт.

2. Эмне үчүн кварц кайыктарынын ордуна SiC пластиналуу кайыктарды тандаш керек?

Жогорку температурага туруктуулук: Кварцка (≤1200°C) салыштырмалуу 1800°C чейин туруктуу.
CTEде жакшыраак дал келүүSiC субстраттарына жакын, пластинанын чыңалышын жана жарака кетишин минималдаштырат.
Төмөнкү бөлүкчөлөрдүн пайда болушу: Жылмакай, тыгыз бет булганууну азайтат.
Узак мөөнөттүү кызмат мөөнөтүкварц кайыктарына караганда 3–5 эсе узунураак, бул ээлик кылуу чыгымдарын азайтат.

3. SiC пластиналуу кайыктары кандай пластина өлчөмдөрүн көтөрө алат?

Биз стандарттуу дизайндарды сунуштайбыз4 дюймдук, 6 дюймдук жана 8 дюймдукКардарлардын муктаждыктарын канааттандыруу үчүн толук ыңгайлаштырылган пластиналар.

4. SiC пластиналуу кайыктар көбүнчө кайсы процесстерде колдонулат?

SiC эпитаксиалдык өсүшү
Кубаттуу жарым өткөргүч түзүлүштөрдү өндүрүү (SiC MOSFET, SBD, IGBT)
Жогорку температурада күйгүзүү, нитрлөө жана көмүрлөштүрүү
Кычкылдануу жана диффузия процесстери

Биз жөнүндө

XKH атайын оптикалык айнек жана жаңы кристалл материалдарын жогорку технологиялуу иштеп чыгуу, өндүрүү жана сатуу боюнча адистешкен. Биздин продукциялар оптикалык электроникага, керектөөчү электроникага жана аскердик тармактарга кызмат кылат. Биз сапфир оптикалык компоненттерин, уюлдук телефондордун линзаларынын капкактарын, керамиканы, LT, кремний карбидин SIC, кварц жана жарым өткөргүч кристалл пластиналарын сунуштайбыз. Квалификациялуу тажрыйба жана заманбап жабдуулар менен биз стандарттуу эмес продукцияны иштетүүдө мыкты ийгиликтерге жетишип, алдыңкы оптоэлектрондук материалдарды чыгаруучу жогорку технологиялуу ишкана болууга умтулабыз.