2 дюймдук 3 дюймдук 4 дюймдук InP эпитаксиалдык пластиналык субстрат APD жарык детектору була-оптикалык байланыш же LiDAR үчүн

2 дюймдук 3 дюймдук 4 дюймдук InP эпитаксиалдык пластиналык субстрат APD жарык детектору була-оптикалык байланыш үчүн же LiDAR өзгөчөлөнгөн сүрөт

Кыска сүрөттөмө:

InP эпитаксиалдык субстрат APD өндүрүү үчүн негизги материал болуп саналат, адатта, эпитаксиалдык өсүү технологиясы боюнча субстратка салынган жарым өткөргүч материал. Кеңири колдонулуучу материалдарга кремний (Si), галлий арсениди (GaAs), галлий нитриди (GaN) ж.б., фотоэлектрдик касиеттери эң сонун. APD фотодетектору – аныктоо сигналын күчөтүү үчүн көчкү фотоэлектрдик эффектин колдонгон фотодетектордун өзгөчө түрү. APDге фотондор түшкөндө, электрондук тешик жуптары пайда болот. Электр талаасынын таасири астында бул ташыгычтардын ылдамдашы көбүрөөк ташыгычтардын пайда болушуна, “көчкү эффектине” алып келиши мүмкүн, бул чыгуучу токту олуттуу түрдө күчөтөт.
MOCvD тарабынан өстүрүлгөн эпитаксиалдык пластиналар көчкү фотодетекторунун диоддук тиркемелеринин чордону болуп саналат. Абсорбциялык катмар U-InGaAs материалы менен <5E14 фон допинг менен даярдалган. Функционалдык катмар InP же InAlAslayer колдоно алат. InP эпитаксиалдык субстрат APD өндүрүү үчүн негизги материал болуп саналат, ал оптикалык детектордун иштешин аныктайт. APD фотодетектору байланыш, сезүү жана сүрөттөө тармактарында кеңири колдонулган жогорку сезгичтүү фотодетектордун бир түрү.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз

Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

InP лазердик эпитаксиалдык барагынын негизги өзгөчөлүктөрү кирет

1. Band ажырым мүнөздөмөлөрү: InP өзгөчө 1.3μm 1.5μm толкун узундугу диапазонунда, узун толкун инфракызыл жарык аныктоо үчүн ылайыктуу болуп саналат, тар диапазону бар.
2. Оптикалык аткаруу: InP эпитаксиалдык тасмасы ар кандай толкун узундуктарында жарык берүүчү күч жана тышкы кванттык эффективдүүлүк сыяктуу жакшы оптикалык көрсөткүчкө ээ. Мисалы, 480 нмде жарык берүүчү кубаттуулук жана тышкы кванттык эффективдүүлүк тиешелүүлүгүнө жараша 11,2% жана 98,8% түзөт.
3. Ташуучу динамикасы: InP nanoparticles (NPs) эпитаксиалдык өсүш учурунда кош экспоненциалдык ажыроо жүрүм-турумун көрсөтөт. Тез ажыроо убактысы ташуучунун InGaAs катмарына инъекциясы менен түшүндүрүлөт, ал эми жай ажыроо убактысы InP NPsдеги ташуучу рекомбинацияга байланыштуу.
4. Жогорку температуранын мүнөздөмөлөрү: AlGaInAs/InP кванттык скважинанын материалы жогорку температурада эң сонун көрсөткүчкө ээ, ал агымдын агып кетишин эффективдүү алдын алат жана лазердин жогорку температуралык мүнөздөмөлөрүн жакшыртат.
5. Өндүрүш процесси: InP epitaxial барактары, адатта, жогорку сапаттагы тасмаларды жетүү үчүн молекулярдык нур epitaxy (MBE) же металл-органикалык химиялык буу чөкмө (MOCVD) технологиясы менен субстрат боюнча өстүрүлөт.
Бул мүнөздөмөлөр InP лазердик эпитаксиалдык пластинкаларды оптикалык була байланышында, кванттык ачкычтарды бөлүштүрүүдө жана алыстан оптикалык аныктоодо маанилүү колдонмолорго ээ кылат.

InP лазердик эпитаксиалдык таблеткалардын негизги колдонмолору кирет

1. Фотоника: InP лазерлери жана детекторлору оптикалык байланышта, маалымат борборлорунда, инфракызыл сүрөттөөдө, биометрияда, 3D сезгичте жана LiDARда кеңири колдонулат.

2. Телекоммуникациялар: InP материалдары кремнийге негизделген узун толкун узундуктагы лазерлердин масштабдуу интеграциясында, өзгөчө оптикалык була байланышында маанилүү колдонмолорго ээ.

3. Инфракызыл лазерлер: InP негизиндеги кванттык скважина лазерлеринин орто-инфракызыл диапазондо (мисалы, 4-38 микрон), анын ичинде газды сезүү, жарылуучу заттарды аныктоо жана инфракызыл сүрөттөрдү колдонуу.

4. Кремний photonics: Гетерогендүү интеграция технологиясы аркылуу, InP лазер көп функционалдуу кремний оптоэлектрондук интеграция платформасын түзүү үчүн кремний негизиндеги субстратка өткөрүлүп берилет.

5.High өндүрүмдүүлүгү лазер: InP материалдары 1,5 микрон толкун узундугу менен InGaAsP-InP транзистордук лазер сыяктуу жогорку натыйжалуу лазерлерди өндүрүү үчүн колдонулат.

XKH оптикалык байланыштар, сенсорлор, 4G/5G базалык станциялары, ж.б. сыяктуу ар кандай тиркемелерди камтыган, ар кандай структуралар жана калыңдыктар менен ылайыкташтырылган InP эпитаксиалдык пластиналарды сунуштайт. XKH өнүмдөрү жогорку натыйжалуулукту жана ишенимдүүлүктү камсыз кылуу үчүн өнүккөн MOCVD жабдууларын колдонуу менен өндүрүлгөн. Логистика жагынан, XKH эл аралык булак каналдарынын кеңири спектрине ээ, буйрутмалардын санын ийкемдүү түрдө башкара алат жана суюлтуу, сегменттөө ж.б. сыяктуу кошумча нарк кызматтарын көрсөтө алат. Натыйжалуу жеткирүү процесстери өз убагында жеткирүүнү камсыз кылат жана кардарлардын талаптарын канааттандырат. сапаты жана жеткирүү мөөнөтү. Келгенден кийин, кардарлар продукт жылмакай колдонууга киргизүү үчүн ар тараптуу техникалык колдоо жана сатуудан кийинки тейлөө ала алышат.