150мм 6 дюйм 0,7мм 0,5 мм Sapphire Wafer Substrate Carrier C-Plane SSP/DSP

Кыска сүрөттөмө:

Жогоруда айтылгандардын баары сапфир кристаллдарынын туура сүрөттөлүшү.Сапфир кристаллынын мыкты иштеши аны жогорку деңгээлдеги техникалык тармактарда кеңири колдонууга мүмкүндүк берет.LED өнөр жайдын тез өнүгүшү менен, сапфир кристалл материалдарга суроо-талап да өсүп жатат.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз

Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

Тиркемелер

6 дюймдук сапфир пластинкалары үчүн колдонмолорго төмөнкүлөр кирет:

1. LED өндүрүшү: сапфир пластинасын LED чиптеринин субстраты катары колдонсо болот жана анын катуулугу жана жылуулук өткөрүмдүүлүгү LED чиптеринин туруктуулугун жана кызмат мөөнөтүн жакшыртат.

2. Лазердик өндүрүш: Sapphire пластинкасын лазердин субстраты катары да колдонсо болот, лазердин иштешин жакшыртууга жана кызмат мөөнөтүн узартууга жардам берет.

3. Жарым өткөргүч өндүрүшү: Sapphire пластиналар электрондук жана оптоэлектрондук түзүлүштөрдү өндүрүүдө кеңири колдонулат, анын ичинде оптикалык синтез, күн батареялары, жогорку жыштыктагы электрондук шаймандар ж.б.

4. Башка колдонмолор: Sapphire пластинаны сенсордук экранды, оптикалык аппараттарды, жука пленкадагы күн батареяларын жана башка жогорку технологиялык продуктыларды өндүрүү үчүн колдонсо болот.

Спецификация

Материал	Жогорку тазалыктагы монокристалл Al2O3, сапфир вафли.
Өлчөм	150 мм +/- 0,05 мм, 6 дюйм
Калыңдыгы	1300 +/- 25 um
Багыттоо	C учак (0001) өчүрүү M (1-100) учак 0,2 +/- 0,05 градус
Негизги жалпак багыт	Учак +/- 1 градус
Негизги жалпак узундугу	47,5 мм +/- 1 мм
Жалпы калыңдыктын өзгөрүүсү (TTV)	<20 мм
Жаа	<25 um
Warp	<25 um
Термикалык кеңейүү коэффициенти	6,66 x 10-6 / °C C огуна параллелдүү, 5 x 10-6 / °C C огуна перпендикуляр
Диэлектрик күчү	4,8 x 105 В/см
Диэлектрик туруктуу	C огу боюнча 11,5 (1 МГц), С огуна перпендикуляр 9,3 (1 МГц)
Диэлектрик жоготуу тангенси (ака диссипация фактору)	1 х 10-4 кем
Жылуулук өткөргүчтүк	40 Вт/(мК) 20℃де
Жылмалоо	бир тарап жылмаланган (SSP) же эки тараптуу жылмаланган (DSP) Ra < 0,5 нм (AFM тарабынан).SSP пластинкасынын арткы жагы Ra = 0,8 - 1,2 um чейин майдаланган.
Өткөрүү	88% +/-1 % @460 нм