3 дюймдук 76,2 мм 4H-Жарым SiC субстрат пластинкасы Кремний Карбиди Жарым инкорутуучу SiC пластиналары

3-дюймдук 4H жарым изоляцияланган SiC (кремний карбиди) субстрат пластиналар көбүнчө колдонулган жарым өткөргүч материал болуп саналат. 4H тетрагексаэдрдик кристалл түзүлүшүн көрсөтөт. Жарым изоляция субстраттын жогорку каршылык мүнөздөмөсүнө ээ экендигин жана учурдагы агымдан бир аз обочолонууга боло тургандыгын билдирет.

Мындай субстрат пластиналар төмөнкүдөй мүнөздөмөлөргө ээ: жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк, төмөн өткөргүч жоготуу, мыкты жогорку температурага туруктуулук жана мыкты механикалык жана химиялык туруктуулук. Кремний карбиди кенен энергетикалык боштукка ээ жана жогорку температурага жана жогорку электр талаасынын шарттарына туруштук бере алгандыктан, 4H-SiC жарым изоляцияланган пластиналар электр энергиясы жана радио жыштык (RF) түзүлүштөрүндө кеңири колдонулат.

4H-SiC жарым изоляцияланган пластинкалардын негизги колдонмолоруна төмөнкүлөр кирет:

1 - Power электроникасы: 4H-SiC пластиналар MOSFETs (металл оксиди жарым өткөргүч талаа эффектиси транзисторлору), IGBTs (изоляцияланган дарбаза биполярдык транзисторлор) жана Schottky диоддору сыяктуу кубаттуулукту алмаштыруучу түзүлүштөрдү өндүрүү үчүн колдонулушу мүмкүн. Бул приборлор жогорку чыңалуудагы жана жогорку температурадагы чөйрөлөрдө өткөргүчтүк жана которуштуруу жоготуулары азыраак жана жогорку натыйжалуулукту жана ишенимдүүлүктү сунуштайт.

2--Радио жыштык (RF) түзмөктөрү: 4H-SiC жарым изоляцияланган пластиналар жогорку кубаттуулуктагы, жогорку жыштыктагы RF күч күчөткүчтөрүн, чип резисторлорун, чыпкаларды жана башка түзүлүштөрдү жасоо үчүн колдонулушу мүмкүн. Кремний карбиди электрондор менен каныккан дрейфтин ылдамдыгы жана жылуулук өткөрүмдүүлүгү жогору болгондуктан, жогорку жыштыктагы көрсөткүчтөргө жана жылуулук туруктуулугуна ээ.

3--Оптоэлектрондук түзүлүштөр: 4H-SiC жарым изоляцияланган пластиналар жогорку кубаттуулуктагы лазердик диоддорду, UV жарык детекторлорун жана оптоэлектрондук интегралдык схемаларды өндүрүү үчүн колдонулушу мүмкүн.

Рынок багыты боюнча, 4H-SiC жарым изоляцияланган пластинкаларга суроо-талап күч электроникасынын, RF жана оптоэлектрониканын өсүп жаткан тармактары менен өсүп жатат. Бул кремний карбидинин энергетикалык эффективдүүлүк, электр унаалары, кайра жаралуучу энергия жана коммуникациялар сыяктуу кеңири спектри бар экендигине байланыштуу. Келечекте, 4H-SiC жарым изоляцияланган пластиналар рыногу абдан келечектүү бойдон калууда жана ар кандай колдонмолордо кадимки кремний материалдарын алмаштыруусу күтүлүүдө.