GaAs лазердик эпитаксиалдык пластинасы 4 дюймдук 6 дюймдук VCSEL вертикалдык көңдөй бетинин эмиссиялык лазеринин толкун узундугу 940нм бир түйүн

Кыскача сүрөттөмө:

Кардар тарабынан белгиленген дизайндагы Gigabit Ethernet лазердик массивдери жогорку бирдейлик үчүн 6 дюймдук пластиналар 850/940нм борбордук оптикалык толкун узундугу кычкылы чектелген же протон менен имплантацияланган VCSEL санариптик маалымат байланышы, лазердик чычкандын электрдик жана оптикалык мүнөздөмөлөрү температурага төмөн сезгичтик. VCSEL-940 Single Junction - бул вертикалдуу көңдөй беттик нурлантуучу лазер (VCSEL), анын эмиссия толкун узундугу адатта 940 нанометрдин тегерегинде. Мындай лазерлер, адатта, бир кванттык кудуктан турат жана натыйжалуу жарык эмиссиясын камсыз кылууга жөндөмдүү. 940 нанометрдик толкун узундугу аны инфракызыл спектрде ар кандай колдонмолор үчүн ылайыктуу кылат. Башка лазер түрлөрү менен салыштырганда, VCsels электро-оптикалык конвертациялоо эффективдүүлүгү жогору. VCSEL пакети салыштырмалуу кичинекей жана интеграциялоо оңой. VCSEL-940тун кеңири колдонулушу аны заманбап технологияларда маанилүү ролду ойногонго алып келди.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз

Өзгөчөлүктөрү

GaAs лазердик эпитаксиалдык барактын негизги мүнөздөмөлөрү төмөнкүлөрдү камтыйт

1. Бир түйүндүү түзүлүш: Бул лазер, адатта, бир кванттык кудуктан турат, ал натыйжалуу жарык эмиссиясын камсыздай алат.
2. Толкун узундугу: 940 нм толкун узундугу аны инфракызыл спектр диапазонунда, ар кандай колдонмолор үчүн ылайыктуу кылат.
3. Жогорку натыйжалуулук: Башка лазер түрлөрү менен салыштырганда, VCSEL жогорку электро-оптикалык конвертациялоо натыйжалуулугуна ээ.
4. Компакттуулугу: VCSEL пакети салыштырмалуу кичинекей жана интеграциялоо оңой.

5. Төмөнкү босоголук ток жана жогорку эффективдүүлүк: Көмүлгөн гетерострукциялуу лазерлер өтө төмөн лазердик босоголук ток тыгыздыгын (мисалы, 4 мА/см²) жана жогорку тышкы дифференциалдык кванттык эффективдүүлүктү (мисалы, 36%) көрсөтөт, сызыктуу чыгуу кубаттуулугу 15 мВттан ашат.
6. Толкун өткөргүч режиминин туруктуулугу: Көмүлгөн гетероструктуралуу лазердин сынуу көрсөткүчү менен башкарылуучу толкун өткөргүч механизми жана кууш активдүү тилке туурасы (болжол менен 2 мкм) болгондуктан, толкун өткөргүч режиминин туруктуулугунун артыкчылыгы бар.
7. Фотоэлектрдик конверсиянын эң сонун натыйжалуулугу: Эпитаксиалдык өсүү процессин оптималдаштыруу менен, ички жоготууларды азайтуу үчүн жогорку ички кванттык натыйжалуулукка жана фотоэлектрдик конверсиянын натыйжалуулугуна жетишүүгө болот.
8. Жогорку ишенимдүүлүк жана иштөө мөөнөтү: жогорку сапаттагы эпитаксиалдык өстүрүү технологиясы жакшы беттик көрүнүшкө жана төмөн кемчилик тыгыздыгына ээ эпитаксиалдык барактарды даярдай алат, бул продуктунун ишенимдүүлүгүн жана иштөө мөөнөтүн жакшыртат.
9. Ар кандай колдонмолор үчүн ылайыктуу: GAAS негизиндеги лазердик диоддук эпитаксиалдык барак оптикалык була байланышында, өнөр жай колдонмолорунда, инфракызыл жана фотодетекторлордо жана башка тармактарда кеңири колдонулат.

GaAs лазердик эпитаксиалдык барактын негизги колдонуу жолдору төмөнкүлөрдү камтыйт

1. Оптикалык байланыш жана маалыматтарды берүү: GaAs эпитаксиалдык пластиналары оптикалык байланыш тармагында, айрыкча жогорку ылдамдыктагы оптикалык байланыш системаларында лазерлер жана детекторлор сыяктуу оптоэлектрондук түзүлүштөрдү өндүрүү үчүн кеңири колдонулат.

2. Өнөр жайлык колдонулуштар: GaAs лазердик эпитаксиалдык барактары өнөр жайлык колдонулуштарда, мисалы, лазердик иштетүү, өлчөө жана сезүү сыяктуу маанилүү колдонулуштарга ээ.

3. Керектөөчү электроника: Керектөөчү электроникада GaAs эпитаксиалдык пластиналары смартфондордо жана башка керектөөчү электроникада кеңири колдонулган VCsels (вертикалдуу көңдөй бетин нурлантуучу лазерлер) өндүрүү үчүн колдонулат.

4. ЖЖ колдонулушу: GaAs материалдары ЖЖ тармагында олуттуу артыкчылыктарга ээ жана жогорку өндүрүмдүү ЖЖ түзмөктөрүн өндүрүү үчүн колдонулат.

5. Кванттык чекиттүү лазерлер: GAAS негизиндеги кванттык чекиттүү лазерлер байланыш, медициналык жана аскердик тармактарда, айрыкча 1,31 мкм оптикалык байланыш тилкесинде кеңири колдонулат.

6. Пассивдүү Q которгучу: GaAs абсорбери микро-механикалык иштетүү, масштабдоо жана микрохирургия үчүн ылайыктуу пассивдүү Q которгучу бар диод менен сордурулган катуу абалдагы лазерлер үчүн колдонулат.

Бул колдонмолор GaAs лазердик эпитаксиалдык пластиналарынын жогорку технологиялык колдонмолордун кеңири чөйрөсүндөгү потенциалын көрсөтөт.

XKH кардарлардын талаптарына ылайыкташтырылган, VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G базалык станциялары сыяктуу кеңири колдонмолорду камтыган ар кандай түзүлүштөгү жана калыңдыктагы GaAs эпитаксиалдык пластиналарын сунуштайт. XKHтин продукциялары жогорку өндүрүмдүүлүктү жана ишенимдүүлүктү камсыз кылуу үчүн алдыңкы MOCVD жабдууларын колдонуу менен өндүрүлөт. Логистика жагынан алганда, бизде эл аралык булак каналдарынын кеңири чөйрөсү бар, буйрутмалардын санын ийкемдүү иштете алабыз жана суюлтуу, сегменттөө ж.б. сыяктуу кошумча кызматтарды көрсөтө алабыз. Натыйжалуу жеткирүү процесстери өз убагында жеткирүүнү камсыздайт жана кардарлардын сапат жана жеткирүү убактысы боюнча талаптарын канааттандырат. Келгенден кийин, кардарлар продукциянын үзгүлтүксүз колдонулушун камсыз кылуу үчүн комплекстүү техникалык колдоо жана сатуудан кийинки тейлөө ала алышат.