InGaAs эпитаксиалдык пластиналык субстрат PD Array фотодетектор массивдери LiDAR үчүн колдонулушу мүмкүн

InGaAs эпитаксиалдык пластиналык субстрат PD Array фотодетектор массивдерин LiDAR Featured Image үчүн колдонсо болот

Кыска сүрөттөмө:

InGaAs эпитаксиалдык пленкасы белгилүү бир субстраттагы эпитаксиалдык өсүү технологиясы менен түзүлгөн индий галлий мышьяк (InGaAs) монокристаллдуу ичке пленка материалына тиешелүү. Жалпы InGaAs эпитаксиалдык субстраттары индий фосфиди (InP) жана галлий арсениди (GaAs) болуп саналат. Бул субстрат материалдары InGaAs эпитаксиалдык катмарларынын өсүшү үчүн сонун субстрат менен камсыз кыла турган жакшы кристаллдык сапатка жана жылуулук туруктуулугуна ээ.
PD Array (Photodetector Array) – бир эле учурда бир нече оптикалык сигналдарды аныктоого жөндөмдүү бир нече фотодетекторлордун массивдери. MOCVDден өстүрүлгөн эпитаксиалдык барак негизинен photodetection диоддордо колдонулат, жутуу катмары U-InGaAsдан турат, фон допинг <5E14 жана диффузиялык Zn кардар же Epihouse тарабынан бүтүрүлүшү мүмкүн. Эпитаксиалдык таблеткалар PL, XRD жана ECV өлчөөлөрү менен талданган.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз

Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

TheInGaAs лазердик эпитаксиалдык барагынын негизги өзгөчөлүктөрү кирет

1. Торлордун дал келүүсү: InGaAs эпитаксиалдык катмары менен InP же GaAs субстратынын ортосунда жакшы решетканын дал келишине жетишүүгө болот, ошону менен эпитаксиалдык катмардын дефект тыгыздыгын азайтат жана аппараттын иштешин жакшыртат.
2. Жөнгө салынуучу тилке ажырымы: InGaAs материалынын тилкелик боштугуна In жана Ga компоненттеринин үлүшүн тууралоо аркылуу жетишүүгө болот, бул InGaAs эпитаксиалдык баракчасын оптоэлектрондук түзүлүштөрдө колдонуунун кеңири спектрине ээ кылат.
3. Жогорку фотосезгичтик: InGaAs эпитаксиалдык пленкасы жарыкка жогорку сезгичтикке ээ, бул аны фотоэлектрдик аныктоо, оптикалык байланыш жана башка уникалдуу артыкчылыктар чөйрөсүндө түзөт.
4. Жогорку температуранын туруктуулугу: InGaAs / InP эпитаксиалдык структурасы мыкты жогорку температуранын туруктуулугуна ээ жана жогорку температурада түзмөктүн туруктуу иштешин сактай алат.

InGaAs лазердик эпитаксиалдык таблеткалардын негизги колдонмолору кирет

1. Оптоэлектрондук түзүлүштөр: InGaAs эпитаксиалдык таблеткалары фотодиоддорду, фотодетекторлорду жана оптикалык байланыш, түнкү көрүү жана башка тармактарда кеңири колдонууга ээ болгон башка оптоэлектрондук түзүлүштөрдү өндүрүү үчүн колдонулушу мүмкүн.

2. Lasers: InGaAs epitaxial барактары, ошондой эле оптикалык була байланыш, өнөр жай кайра иштетүү жана башка тармактарда маанилүү ролду ойнойт лазер, өзгөчө узун толкун лазер, өндүрүү үчүн колдонулушу мүмкүн.

3. Күн батареялары: InGaAs материалы жылуулук фотоэлектр клеткалары талап кылган диапазондогу боштуктун талаптарына жооп бере турган кең диапазонун тууралоо диапазонуна ээ, ошондуктан InGaAs эпитаксиалдык баракчасы да күн батареялары тармагында белгилүү бир колдонуу потенциалына ээ.

4. Медициналык сүрөттөө: Медициналык сүрөттөө жабдууларында (мисалы, КТ, MRI ж.б.), аныктоо жана сүрөттөө үчүн.

5. Сенсордук тармак: айлана-чөйрөнү көзөмөлдөө жана газды аныктоодо, бир эле учурда бир нече параметрлерди көзөмөлдөөгө болот.

6. Өнөр жай автоматташтыруу: өндүрүштүк линиядагы объектилердин абалын жана сапатын көзөмөлдөө үчүн машина көрүү системаларында колдонулат.

Келечекте InGaAs эпитаксиалдык субстратынын материалдык касиеттери жакшырууну улантат, анын ичинде фотоэлектрдик конверсиянын эффективдүүлүгүн жогорулатуу жана ызы-чуунун деңгээлин төмөндөтүү. Бул InGaAs эпитаксиалдык субстраттын оптоэлектрондук түзүлүштөрдө кеңири колдонулушун шарттайт жана аткаруу мыктыраак болот. Ошол эле учурда, даярдоо жараяны, ошондой эле ири рыноктун керектөөлөрүн канааттандыруу үчүн, чыгымдарды азайтуу жана натыйжалуулугун жогорулатуу үчүн тынымсыз оптималдаштырылган болот.

Жалпысынан алганда, InGaAs эпитаксиалдык субстрат өзүнүн уникалдуу мүнөздөмөлөрү жана кеңири колдонуу келечеги менен жарым өткөргүч материалдар тармагында маанилүү орунду ээлейт.

XKH оптоэлектрондук аппараттар, лазерлер жана күн батареялары үчүн колдонмолордун кеңири спектрин камтыган, ар кандай түзүлүштөгү жана калыңдыктагы InGaAs эпитаксиалдык барактарынын ыңгайлаштырууларын сунуштайт. XKH өнүмдөрү жогорку натыйжалуулугун жана ишенимдүүлүгүн камсыз кылуу үчүн өнүккөн MOCVD жабдуулар менен өндүрүлгөн. Логистика жагынан, XKH эл аралык булак каналдарынын кеңири спектрине ээ, алар буйрутмалардын санын ийкемдүү түрдө башкара алат жана тактоо жана сегменттөө сыяктуу кошумча нарк кызматтарын көрсөтө алат. Натыйжалуу жеткирүү процесстери өз убагында жеткирүүнү камсыз кылат жана кардарлардын сапаты жана жеткирүү убактысы боюнча талаптарына жооп берет.