LT Lithium Tantalate (LiTaO3) Crystal 2inch/3inch/4inch/6寸inch Orientaiton Y-42°/36°/108° Калыңдыгы 250-500um

Кыска сүрөттөмө:

LiTaO₃ пластиналар өзгөчө пьезоэлектрдик коэффициенттерди, жылуулук туруктуулугун жана оптикалык касиеттерин көрсөткөн критикалык пьезоэлектрдик жана ферроэлектрдик материалдык системаны билдирет, бул аларды беттик акустикалык толкун (SAW) чыпкалары, массалык акустикалык толкун (BAW) резонаторлору, оптикалык модуляторлор жана инфракызыл детекторлор үчүн зарыл кылат. XKH жогорку сапаттагы LiTaO₃ пластинкаларын R&D жана өндүрүүгө адистешкен, өнүккөн Czochralski (CZ) кристаллынын өсүшүн жана суюк фаза эпитаксиясы (LPE) процесстерин колдонуп, кемчиликтин тыгыздыгы <100/см² менен жогорку кристаллдык гомогендүүлүктү камсыз кылат.

XKH 3 дюймдук, 4 дюймдук жана 6 дюймдук LiTaO₃ пластинкаларын бир нече кристаллографиялык ориентациялары (X-cut, Y-cut, Z-cut) менен камсыздайт, ыңгайлаштырылган допингди (Mg, Zn) жана колдонуунун конкреттүү талаптарына жооп берүү үчүн поллинг процедураларын колдойт. Материалдын диэлектрдик туруктуулугу (ε~40-50), пьезоэлектрдик коэффициент (d₃₃~8-10 pC/N) жана Кюри температурасы (~600°C) LiTaO₃ди жогорку жыштыктагы фильтрлер жана тактык сенсорлор үчүн артыкчылыктуу субстрат катары белгилейт.

Биздин вертикалдуу интеграцияланган өндүрүшүбүз 5G байланышын, керектөөчү электроникасын, фотониканы жана коргонуу өнөр жайын тейлөө үчүн ай сайын 3000 пластинкадан ашкан өндүрүш кубаттуулугу менен кристалл өстүрүүнү, пластинкаларды, жылтыратууну жана жука пленканы камтыйт. Биз оптималдаштырылган LiTaO₃ чечимдерин жеткирүү үчүн комплекстүү техникалык консультацияларды, үлгүлөрдү мүнөздөмөлөрдү жана аз көлөмдөгү прототиптерди түзүү кызматтарын сунуштайбыз.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз

Өзгөчөлүктөрү

Техникалык параметрлер

аты	Оптикалык даражадагы LiTaO3	Үн үстөл деңгээли LiTaO3
Окиалдык	Z кесип + / - 0,2 °	36 ° Y кесип / 42 ° Y кесип / X кесүү(+ / - 0,2 °)
Диаметри	76,2 мм + / - 0,3 мм/100±0,2мм	76,2 мм + /-0,3 мм100мм + /-0,3мм 0р 150±0,5мм
Датум учагы	22мм + / - 2мм	22мм +/-2мм32мм +/-2мм
Калыңдыгы	500um + /-5мм1000um + /-5мм	500um + /-20мм350um + /-20мм
TTV	≤ 10um	≤ 10um
Кюри температурасы	605 °C + / - 0,7 °C (DTAmethod)	605 °C + / -3 °C (DTAmethod
Беттин сапаты	Эки тараптуу жылмалоо	Эки тараптуу жылмалоо
Кесилген четтери	четин тегеректөө	четин тегеректөө

Негизги мүнөздөмөлөрү

1.Кристалл структурасы жана электрдик аткаруу

· Кристаллографиялык туруктуулук: 100% 4H-SiC политипинин үстөмдүгү, нөл көп кристаллдык кошулмалар (мисалы, 6H/15R), XRD термелүү ийри сызыгы толук туурасы жарым-максимумда (FWHM) ≤32,7 жаасы сек.
· Жогорку Жыштыктагы мобилдүүлүк: 5,400 см²/V·s (4H-SiC) электрондук мобилдүүлүгү жана 380 см²/V·с тешиктердин мобилдүүлүгү, жогорку жыштыктагы түзүлүштөрдүн дизайнын жасоого мүмкүндүк берет.
·Радиациялык катуулугу: 1×10¹⁵ n/cm² жылышуунун зыян чеги менен 1 МэВ нейтрондук нурланууга туруштук берет, аэрокосмостук жана ядролук колдонмолор үчүн идеалдуу.

2.Жылуулук жана механикалык касиеттери

· Өзгөчө жылуулук өткөрүмдүүлүк: 4,9 Вт/см·К (4H-SiC), кремнийдикинен үч эсе көп, 200°Cден жогору иштөөнү колдойт.
· Төмөн жылуулук кеңейүү коэффициенти: CTE 4,0×10⁻⁶/K (25–1000°C), кремний негизиндеги таңгак менен шайкештикти камсыз кылуу жана жылуулук стрессти минималдаштыруу.

3.Defect Control and Processing Precision
-
· Микропродукттун тыгыздыгы: <0,3 см⁻² (8 дюймдук пластиналар), дислокациянын тыгыздыгы <1,000 см⁻² (KOH оюу аркылуу текшерилген).
· Беттин сапаты: Ra <0,2 нмге чейин CMP менен жылмаланган, EUV литографиялык класстын тегиздик талаптарына жооп берет.

Негизги колдонмолор

домен	Колдонмо сценарийлери	Техникалык артыкчылыктар
Оптикалык байланыштар	100G/400G лазерлер, кремний фотоникасы гибриддик модулдары	InP үрөн субстраттары оптикалык туташуу жоготууларын азайтып, түз тилке (1,34 eV) жана Si негизиндеги гетероепитаксияны иштетет.
Жаңы энергетикалык унаалар	800V жогорку чыңалуудагы инверторлор, борттогу заряддагычтар (OBC)	4H-SiC субстраттары >1200 Вга туруштук берип, өткөргүчтүк жоготууларды 50% жана системанын көлөмүн 40% азайтат.
5G байланыштары	Миллиметрдик толкундуу RF приборлору (PA/LNA), базалык станциянын күч күчөткүчтөрү	Жарым изоляциялоочу SiC субстраттары (каршылыгы >10⁵ Ω·см) жогорку жыштыктагы (60 ГГц+) пассивдүү интеграцияны иштетет.
Өнөр жай жабдуулары	Жогорку температура датчиктери, ток трансформаторлору, ядролук реакторлордун мониторлору	InSb үрөн субстраттары (0,17 eV тилкеси) магниттик сезгичтикти 300% @ 10 T чейин жеткирет.

LiTaO₃ Вафли - Негизги мүнөздөмөлөрү

1. Жогорку пьезоэлектрдик аткаруу

· Жогорку пьезоэлектрдик коэффициенттер (d₃₃~8-10 pC/N, K²~0,5%) 5G RF чыпкалары үчүн киргизүү жоготуулары <1,5дБ болгон жогорку жыштыктагы SAW/BAW түзмөктөрүн иштетет.

· Мыкты электромеханикалык бириктирүү 6 ГГц жана mmWave колдонмолору үчүн кең тилкелүү (≥5%) чыпка конструкцияларын колдойт

2. Оптикалык касиеттери

· >40ГГц өткөрүү жөндөмдүүлүгүнө жеткен электро-оптикалык модуляторлор үчүн кең тилкелүү ачык-айкындуулук (400-5000нмден >70% өткөрүү)

· Күчтүү сызыктуу эмес оптикалык ийкемдүүлүк (χ⁽²⁾~30pm/V) лазердик системаларда эффективдүү экинчи гармоникалык генерацияны (SHG) жеңилдетет

3. Экологиялык туруктуулук

· Жогорку Кюри температурасы (600°C) автомобиль классындагы (-40°Cден 150°Cге чейин) чөйрөдө пьезоэлектрдик жоопту сактайт.

· Кислоталарга/щелочторго каршы химиялык инерттүүлүк (pH1-13) өнөр жай сенсордук колдонмолордо ишенимдүүлүктү камсыз кылат

4. Ыңгайлаштыруу мүмкүнчүлүктөрү

· Багыттоо инженериясы: ылайыкташтырылган пьезоэлектрдик жооптор үчүн X-кесип (51°), Y-кесим (0°), Z-кесим (36°)

· Допинг варианттары: Mg-допдоо (оптикалык зыянга туруштук берүү), Zn-допдоо (жакшыртылган d₃₃)

· Беттик жасалгалар: Эпитаксиалдык-даяр жылтыратуу (Ra<0,5nm), ITO/Au металлдаштыруу

LiTaO₃ Wafers - Негизги колдонмолор

1. RF Front-End модулдары

· 5G NR SAW чыпкалары (Band n77/n79) жыштыктын температуралык коэффициенти (TCF) <|-15ppm/°C|

· WiFi 6E/7 үчүн ультра кең тилкелүү BAW резонаторлору (5,925-7,125 ГГц)

2. Интегралдык фотоника

· Когеренттүү оптикалык байланыштар үчүн жогорку ылдамдыктагы Mach-Zehnder модуляторлору (>100Gbps)

· QWIP инфракызыл детекторлор 3-14μm чейин жөндөлүүчү толкун узундуктары менен

3. Автомобиль электроникасы

· > 200kHz иш жыштыгы менен УЗИ парковка сенсорлору

· TPMS пьезоэлектрдик өзгөрткүчтөрү -40°Cден 125°Cге чейинки жылуулук циклине чыдамдуу

4. Коргоо системалары

· EW ресивер чыпкалары >60дБ диапазондон тышкары четке кагуу

· 3-5μm MWIR нурлануусун өткөрүүчү ракета издөөчү IR терезелери

5. Өнүгүп келе жаткан технологиялар

· Микротолкун-оптикалык конвертациялоо үчүн оптомеханикалык кванттык өзгөрткүчтөр

· Медициналык УЗИ сүрөттөө үчүн PMUT массивдери (>20 МГц резолюция)

LiTaO₃ Wafers - XKH кызматтары

1. Supply Chain Management

· Стандарттык спецификациялар үчүн 4 жумалык коргошун убактысы менен буль-то-вафель иштетүү

· Конкуренттерге караганда 10-15% баанын артыкчылыгын камсыз кылуу менен оптималдаштырылган өндүрүш

2. Ыңгайлаштырылган чечимдер

· Багыт-айкын пластинка: оптималдуу SAW аткаруу үчүн 36 ° ± 0,5 ° Y-кесип

· Кошумча курамы: оптикалык колдонмолор үчүн MgO (5мол%) допинг

Металлдаштыруу кызматтары: Cr/Au (100/1000Å) электродду калыптандыруу

3. Техникалык колдоо

· Материалдык мүнөздөмө: XRD солкулдаган ийри сызыктары (FWHM<0,01°), AFM бетинин анализи

· Түзмөктүн симуляциясы: SAW чыпкасы дизайнын оптималдаштыруу үчүн FEM моделдөө

Корутунду

LiTaO₃ пластиналары RF байланыштары, интегралдык фотоникалар жана катаал чөйрө сенсорлору боюнча технологиялык прогрессти камсыз кылууну улантууда. XKHдин материалдык экспертизасы, өндүрүштүн тактыгы жана колдонмо инженердик колдоосу кардарларга кийинки муундагы электрондук системалардагы дизайн кыйынчылыктарын жеңүүгө жардам берет.