Sapphire монокристаллдуу Al2O3 өсүү меши KY ыкмасы Kyropoulos жогорку сапаттагы сапфир кристалл өндүрүү
Продукт Introduction
Киропулос методу - бул жогорку сапаттагы сапфир кристаллдарын өстүрүү ыкмасы, анын өзөгү температура талаасын жана кристалл өсүү шарттарын так көзөмөлдөө аркылуу сапфир кристаллдарынын бирдей өсүшүнө жетишүү болуп саналат. Төмөндө сапфир куймасы боюнча KY көбүктөө ыкмасынын өзгөчө таасири келтирилген:
1. Жогорку сапаттагы кристалл өсүшү:
Кемчиликтердин тыгыздыгы төмөн: KY көбүктүн өсүү ыкмасы жай муздатуу жана температураны так көзөмөлдөө аркылуу кристаллдын ичиндеги дислокацияны жана кемчиликтерди азайтат жана жогорку сапаттагы сапфир куймасын өстүрөт.
Жогорку бирдейлик: бирдиктүү жылуулук талаасы жана өсүү темпи кристаллдардын ырааттуу химиялык курамын жана физикалык касиеттерин камсыз кылат.
2. Ири өлчөмдөгү кристалл өндүрүү:
Ири диаметри куйма: KY көбүк өстүрүү ыкмасы ири өлчөмдөгү субстраттарга өнөр жай муктаждыктарын канааттандыруу үчүн 200 мм 300 мм диаметри менен чоң өлчөмдөгү сапфир куймасын өстүрүү үчүн жарактуу болуп саналат.
Кристалл куймасы: Өсүү процессин оптималдаштыруу менен, материалды пайдалануу курсун жакшыртуу үчүн узун кристалл куймасын өстүрсө болот.
3. Жогорку оптикалык аткаруу:
Жогорку жарык өткөрүү: KY өсүү сапфир кристалл куймасы оптикалык жана оптоэлектрондук колдонмолор үчүн жарактуу мыкты оптикалык касиеттерге, жогорку жарык өткөрүмдүүлүккө ээ.
Төмөн жутуу ылдамдыгы: кристаллдагы жарыктын жутулушу жоготууларын азайтуу, оптикалык түзүлүштөрдүн натыйжалуулугун жогорулатуу.
4. Мыкты жылуулук жана механикалык касиеттери:
Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк: сапфир куймасынын жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк жогорку кубаттуулуктагы түзүлүштөрдүн жылуулук таркатуучу талаптарына ылайыктуу.
Жогорку катуулугу жана эскирүү туруктуулугу: Sapphire Mohs катуулугу 9, алмаздан кийинки экинчи, ал эскирүүгө туруктуу бөлүктөрүн өндүрүү үчүн ылайыктуу.
Киропулос методу - бул жогорку сапаттагы сапфир кристаллдарын өстүрүү ыкмасы, анын өзөгү температура талаасын жана кристалл өсүү шарттарын так көзөмөлдөө аркылуу сапфир кристаллдарынын бирдей өсүшүнө жетишүү болуп саналат. Төмөндө сапфир куймасы боюнча KY көбүктөө ыкмасынын өзгөчө таасири келтирилген:
1. Жогорку сапаттагы кристалл өсүшү:
Кемчиликтердин тыгыздыгы төмөн: KY көбүктүн өсүү ыкмасы жай муздатуу жана температураны так көзөмөлдөө аркылуу кристаллдын ичиндеги дислокацияны жана кемчиликтерди азайтат жана жогорку сапаттагы сапфир куймасын өстүрөт.
Жогорку бирдейлик: бирдиктүү жылуулук талаасы жана өсүү темпи кристаллдардын ырааттуу химиялык курамын жана физикалык касиеттерин камсыз кылат.
2. Ири өлчөмдөгү кристалл өндүрүү:
Ири диаметри куйма: KY көбүк өстүрүү ыкмасы ири өлчөмдөгү субстраттарга өнөр жай муктаждыктарын канааттандыруу үчүн 200 мм 300 мм диаметри менен чоң өлчөмдөгү сапфир куймасын өстүрүү үчүн жарактуу болуп саналат.
Кристалл куймасы: Өсүү процессин оптималдаштыруу менен, материалды пайдалануу курсун жакшыртуу үчүн узун кристалл куймасын өстүрсө болот.
3. Жогорку оптикалык аткаруу:
Жогорку жарык өткөрүү: KY өсүү сапфир кристалл куймасы оптикалык жана оптоэлектрондук колдонмолор үчүн жарактуу мыкты оптикалык касиеттерге, жогорку жарык өткөрүмдүүлүккө ээ.
Төмөн жутуу ылдамдыгы: кристаллдагы жарыктын жутулушу жоготууларын азайтуу, оптикалык түзүлүштөрдүн натыйжалуулугун жогорулатуу.
4. Мыкты жылуулук жана механикалык касиеттери:
Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк: сапфир куймасынын жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк жогорку кубаттуулуктагы түзүлүштөрдүн жылуулук таркатуучу талаптарына ылайыктуу.
Жогорку катуулугу жана эскирүү туруктуулугу: Sapphire Mohs катуулугу 9, алмаздан кийинки экинчи, ал эскирүүгө туруктуу бөлүктөрүн өндүрүү үчүн ылайыктуу.
Техникалык параметрлер
| аты | Маалыматтар | Эффект |
| Өсүү өлчөмү | Диаметри 200-300 мм | Чоң өлчөмдөгү субстраттын муктаждыктарын канааттандыруу үчүн чоң өлчөмдөгү сапфир кристалл менен камсыз кылуу, өндүрүштүн натыйжалуулугун жогорулатуу. |
| Температура диапазону | Максималдуу температура 2100°C, Тактыгы ±0,5°C | Жогорку температура чөйрө кристалл өсүшүн камсыз кылат, так температура контролдоо кристалл сапатын камсыз кылат жана кемчиликтерди азайтат. |
| Өсүү ылдамдыгы | 0,5мм/саат - 2мм/саат | Кристаллдын өсүү темптерин көзөмөлдөө, кристаллдын сапатын жана өндүрүштүн натыйжалуулугун оптималдаштыруу. |
| Жылытуу ыкмасы | Вольфрам же молибден жылыткыч | Кристаллдын өсүшү учурунда температуранын ырааттуулугун камсыз кылуу жана кристаллдын бирдейлигин жакшыртуу үчүн бирдиктүү жылуулук талаасын камсыздайт. |
| Муздатуу системасы | Натыйжалуу суу же аба муздатуу системалары | Жабдуулардын туруктуу иштешин камсыз кылуу, ысып кетүүсүнө жол бербөө жана жабдуулардын иштөө мөөнөтүн узартуу. |
| Башкаруу системасы | PLC же компьютер башкаруу системасы | Өндүрүштүн тактыгын жана натыйжалуулугун жогорулатуу үчүн автоматташтырылган иштөөгө жана реалдуу убакыт режиминде мониторинг жүргүзүүгө жетишиңиз. |
| Вакуумдук чөйрө | Жогорку вакуумдук же инерттүү газдан коргоо | Кристаллдын тазалыгын жана сапатын камсыз кылуу үчүн кристаллдын кычкылданышын болтурбоо. |
Иштөө принциби
KY ыкмасы сапфир кристалл мешинин иш принцип KY ыкмасы (көбүктүн өсүү ыкмасы) кристалл өстүрүү технологиясына негизделген. негизги принцип болуп саналат:
1.Raw зат эрүү: вольфрам тигелде толтурулган Al2O3 чийки зат эриген шорпо түзүү үчүн жылыткыч аркылуу эрүү чекитине чейин жылытылат.
2.Seed кристалл байланышы: эриген суюктуктун суюктук деңгээли турукташтырылгандан кийин, урук кристаллынын температурасы эриген суюктуктун үстүнөн катуу көзөмөлдөнгөн эриген суюктукка чөмүлдүрүлөт жана урук кристаллында жана эриген суюктук катуу-суюктук интерфейсинде урук кристаллындай эле кристалл түзүлүшү менен кристаллдарды өстүрө баштайт.
3.Crystal моюн түзүү: урук кристалл абдан жай ылдамдыкта өйдө бурулуп, бир кристалл мойнуна түзүү үчүн бир нече убакытка тартылат.
4. Кристаллдын өсүшү: суюктук менен урук кристаллынын ортосундагы интерфейстин катуулануу ылдамдыгы туруктуу болгондон кийин, урук кристалл ары тартпайт жана айланбайт жана кристалл акырындык менен жогорудан ылдыйга катуулаш үчүн муздатуу ылдамдыгын көзөмөлдөйт жана акыры толук сапфир монокристалын өстүрөт.
Өскөндөн кийин сапфир кристалл куймасын колдонуу
1. LED субстрат:
Жогорку жарыктык LED: Сапфир куймасы субстратка кесилгенден кийин, ал жарыктандыруу, дисплей жана арткы жарык талааларында кеңири колдонулган GAN негизиндеги LEDди өндүрүү үчүн колдонулат.
Mini/Micro LED: сапфир субстраттын жогорку тегиздиги жана төмөн дефект тыгыздыгы жогорку чечилиштеги Mini/Micro LED дисплейлерин өндүрүү үчүн ылайыктуу.
2. Лазердик диод (LD):
Көк лазерлер: Sapphire субстраттары маалыматтарды сактоо, медициналык жана өнөр жайлык иштетүү колдонмолору үчүн көк лазердик диоддорду өндүрүү үчүн колдонулат.
Ультрафиолет лазери: Сапфирдин жогорку жарык өткөрүмдүүлүгү жана термикалык туруктуулугу ультрафиолет лазерлерин өндүрүү үчүн ылайыктуу.
3. Оптикалык терезе:
Жогорку жарык өткөрүүчү терезе: Sapphire куймасы лазерлер, инфракызыл аппараттар жана жогорку сапаттагы камералар үчүн оптикалык терезелерди өндүрүү үчүн колдонулат.
Аюуга туруштук берүүчү терезе: Сапфирдин жогорку катуулугу жана эскирүү туруктуулугу аны катаал шарттарда колдонууга ылайыктуу кылат.
4. Жарым өткөргүчтүү эпитаксиалдык субстрат:
GaN эпитаксиалдык өсүшү: Sapphire субстраттары GaN эпитаксиалдык катмарларын өстүрүү үчүн жогорку электрондук мобилдүүлүк транзисторлорун (HEMTs) жана RF түзмөктөрүн өндүрүү үчүн колдонулат.
AlN эпитаксиалдык өсүү: терең ультра кызгылт нурларды жана лазерлерди өндүрүү үчүн колдонулат.
5. Керектөөчү электроника:
Смартфондун камерасынын капкагы: Сапфир куймасы катуулугу жогору жана чийилүүгө туруктуу камера капкагын жасоо үчүн колдонулат.
Акылдуу сааттын күзгүсү: Sapphire'дин жогорку эскирүү туруктуулугу аны жогорку сапаттагы акылдуу саат күзгүсүн өндүрүүгө ылайыктуу кылат.
6. Өнөр жай колдонмолору:
Кийилүү бөлүктөрү: Сапфир куймасы, мисалы, подшипник жана насадка сыяктуу өнөр жай жабдууларынын эскирүүчү бөлүктөрүн өндүрүү үчүн колдонулат.
Жогорку температура сенсорлору: сапфирдин химиялык туруктуулугу жана жогорку температуралык касиеттери жогорку температура сенсорлорун өндүрүү үчүн ылайыктуу.
7. Аэрокосмикалык:
Жогорку температурадагы Windows: Sapphire куймасы жогорку температурадагы Windows жана аэрокосмостук жабдуулар үчүн сенсорлорду өндүрүү үчүн колдонулат.
Коррозияга туруктуу бөлүктөр: сапфирдин химиялык туруктуулугу аны коррозияга туруктуу бөлүктөрүн өндүрүү үчүн ылайыктуу кылат.
8. Медициналык жабдуулар:
Жогорку тактыктагы аспаптар: Сапфир куймасы скальпель жана эндоскоп сыяктуу жогорку тактыктагы медициналык аспаптарды жасоо үчүн колдонулат.
Биосенсорлор: сапфирдин био шайкештиги аны биосенсорлорду жасоого ылайыктуу кылат.
XKH кардарларды колдонуу процессинде ар тараптуу, өз убагында жана эффективдүү колдоону камсыз кылуу үчүн кардарларга бирдиктүү KY процессинин сапфир меши жабдууларынын кызматтарынын толук спектрин бере алат.
1.Equipment сатуу: кардарлардын өндүрүштүк муктаждыктарын канааттандыруу үчүн, ар кандай моделдерин, жабдууларды тандоо өзгөчөлүктөрү, анын ичинде KY ыкмасы сапфир меши жабдууларды сатуу кызматтарын камсыз кылуу.
2.Technical колдоо: жабдууларды орнотуу, ишке киргизүү, эксплуатациялоо жана техникалык колдоонун башка аспектилери менен кардарларды камсыз кылуу үчүн жабдуулар нормалдуу иштеши жана мыкты өндүрүштүк натыйжаларга жетишүү үчүн.
3.Тренинг кызматтары: кардарларга жабдууларды эксплуатациялоо, тейлөө жана окутуу кызматтарынын башка аспектилери менен камсыз кылуу, кардарларга жабдууларды иштетүү процесси менен таанышууга жардам берүү, жабдууларды колдонуунун натыйжалуулугун жогорулатуу.
4. Ылайыкташтырылган кызматтар: кардарлардын өзгөчө муктаждыктарына ылайык, ылайыкташтырылган жабдуулар кызматтарын көрсөтүү, анын ичинде жабдууларды долбоорлоо, өндүрүү, орнотуу жана жекече чечимдердин башка аспектилери.
Толук диаграмма
