Кремний карбиди SiC куймасы 6 дюйм N тибиндеги муляж/пример класстын жоондугу ыңгайлаштырылган болушу мүмкүн

Кремний карбиди SiC куймасы 6 дюймдук N түрү Dummy/prime класстын жоондугу ыңгайлаштырылган өзгөчөлөнгөн сүрөт

Кыска сүрөттөмө:

Кремний карбиди (SiC) – бул жогорку электрдик, жылуулук жана механикалык касиеттеринен улам бир катар тармактарда олуттуу тартууга ээ болгон кең тилкелүү жарым өткөргүч материал. 6 дюймдук N-типтеги Dummy/Prime классындагы SiC куймасы жогорку кубаттуулуктагы жана жогорку жыштыктагы колдонмолорду камтыган өнүккөн жарым өткөргүч түзүлүштөрдү өндүрүү үчүн атайын иштелип чыккан. Калыңдыктын ыңгайлаштырылган варианттары жана так спецификациялары менен бул SiC куймасы электр транспортторунда, өнөр жай энергетикалык системаларында, телекоммуникацияларда жана башка жогорку өндүрүмдүүлүктөгү секторлордо колдонулган түзүлүштөрдү өнүктүрүү үчүн идеалдуу чечимди камсыз кылат. SiCдин жогорку чыңалуудагы, жогорку температурадагы жана жогорку жыштыктагы туруктуулугу ар кандай тиркемелерде узак мөөнөттүү, эффективдүү жана ишенимдүү аткарууну камсыз кылат.
SiC куймасы 6 дюймдук өлчөмдө, диаметри 150,25 мм ± 0,25 мм жана калыңдыгы 10 ммден ашат, бул пластинаны кесүү үчүн идеалдуу кылат. Бул продукт 4° <11-20> ± 0,2° бетинин так аныкталган багытын сунуштайт, бул аппаратты жасоодо жогорку тактыкты камсыз кылат. Кошумчалай кетсек, куйма <1-100> ± 5° негизги жалпак багытка ээ, бул кристаллдын оптималдуу тегиздөөсүнө жана иштетүү көрсөткүчүнө өбөлгө түзөт.
0,015–0,0285 Ω·см диапазонундагы жогорку каршылыкка ээ, микропродуктунун төмөн тыгыздыгы <0,5 жана эң сонун кырдын сапаты менен, бул SiC куймасы экстремалдык шарттарда минималдуу кемчиликтерди жана жогорку өндүрүмдүүлүктү талап кылган электр шаймандарын өндүрүү үчүн ылайыктуу.

Бизге электрондук кат жөнөтүү

Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

Properties

Баасы: Өндүрүш деңгээли (Думмий/Прайм)
Өлчөмү: 6 дюймдук диаметри
Диаметри: 150,25 мм ± 0,25 мм
Калыңдыгы: > 10мм (Талап боюнча ылайыкташтырылган жоондугу жеткиликтүү)
Surface Orientation: 4 ° карай <11-20> ± 0,2 °, бул жогорку кристалл сапатын жана аппаратты даярдоо үчүн так тегиздөө камсыз кылат.
Негизги жалпак багыт: <1-100> ± 5°, куйманы пластинкаларга эффективдүү кесүү жана кристаллдын оптималдуу өсүшү үчүн негизги өзгөчөлүк.
Негизги Flat Length: 47.5mm ± 1.5mm, жеңил иштетүү жана так кесүү үчүн иштелип чыккан.
Каршылыгы: 0,015–0,0285 Ω·см, жогорку эффективдүү электр түзүлүштөрүндө колдонуу үчүн идеалдуу.
Микропродукттун тыгыздыгы: <0,5, жасалма түзүлүштөрдүн иштешине таасир эте турган минималдуу кемчиликтерди камсыз кылуу.
BPD (Bor Pitting Density): <2000, жогорку кристалл тазалыгын жана төмөн кемчилик тыгыздыгын көрсөтөт төмөн маани.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, жогорку өндүрүмдүү түзүлүштөр үчүн эң сонун материалдык бүтүндүгүн камсыз кылат.
Политиптик аймактар: Эч бири жок – куйма политиптин кемчиликтеринен таза, жогорку сапаттагы колдонмолор үчүн материалдын жогорку сапатын сунуштайт.
Edge Indents: <3, туурасы жана тереңдиги 1 мм, беттин минималдуу зыянын камсыз кылат жана вафлиди эффективдүү кесүү үчүн куйманын бүтүндүгүн сактайт.
Edge Cracks: 3, <1мм ар бири, четине зыян аз пайда болушу менен, коопсуз иштетүү жана андан ары иштетүүнү камсыз кылуу.
Таңгактоо: Вафли кутусу – SiC куймасы коопсуз ташуу жана иштетүүнү камсыз кылуу үчүн вафли кутусуна коопсуз таңгакталган.

Тиркемелер

Электр энергиясы:6 дюймдук SiC куймасы MOSFETs, IGBTs жана диоддор сыяктуу электр энергиясын өндүрүүдө кеңири колдонулат. Бул приборлор электр унаасынын (EV) инверторлорунда, өнөр жай кыймылдаткычтарында, энергия булактарында жана энергияны сактоо системаларында кеңири колдонулат. SiCтин жогорку чыңалууларда, жогорку жыштыктарда жана экстремалдык температураларда иштөө жөндөмдүүлүгү аны салттуу кремний (Si) аппараттары натыйжалуу иштөө үчүн күрөшкөн колдонмолор үчүн идеалдуу кылат.

Электр унаалары (ЭВ):Электр унааларында SiC негизиндеги компоненттер инверторлордо, DC-DC өзгөрткүчтөрүндө жана борттогу заряддоо түзүлүштөрүндө кубаттуулук модулдарын өнүктүрүү үчүн абдан маанилүү. SiC жогорку жылуулук өткөргүчтүгү жылуулукту кыскартууга жана электр энергиясын конверсиялоодо натыйжалуулукту жогорулатууга мүмкүндүк берет, бул электр унааларынын иштешин жана айдоо диапазонун жогорулатуу үчүн абдан маанилүү. Кошумчалай кетсек, SiC аппараттары кичирээк, жеңилирээк жана ишенимдүү компоненттерди иштетип, EV тутумдарынын жалпы иштешине салым кошот.

Кайра жаралуучу энергия системалары:SiC куймалары кайра жаралуучу энергия системаларында, анын ичинде күн инверторлорунда, шамал турбиналарында жана энергияны сактоочу чечимдерде колдонулуучу энергияны конверсиялоочу түзүлүштөрдү иштеп чыгууда маанилүү материал болуп саналат. SiCдин жогорку кубаттуулук менен иштөө мүмкүнчүлүктөрү жана эффективдүү жылуулук башкаруусу энергияны конверсиялоонун жогорку натыйжалуулугун жана бул системалардын ишенимдүүлүгүн жогорулатууга мүмкүндүк берет. Аны кайра жаралуучу энергияда колдонуу энергиянын туруктуулугуна карай глобалдык күч-аракеттерди жумшоого жардам берет.

Телекоммуникациялар:6 дюймдук SiC куймасы жогорку кубаттуулуктагы RF (радио жыштык) колдонмолорунда колдонулган компоненттерди өндүрүү үчүн да ылайыктуу. Аларга телекоммуникация жана спутниктик байланыш системаларында колдонулуучу күчөткүчтөр, осцилляторлор жана фильтрлер кирет. SiCдин жогорку жыштыктарды жана жогорку кубаттуулукту иштетүү жөндөмдүүлүгү аны күчтүү аткарууну жана минималдуу сигнал жоготушун талап кылган телекоммуникациялык түзүлүштөр үчүн эң сонун материал кылат.

Аэрокосмикалык жана коргонуу:SiC жогорку бузулуу чыңалуусу жана жогорку температурага туруктуулугу аны аэрокосмостук жана коргонуу колдонмолору үчүн идеалдуу кылат. SiC куймаларынан жасалган компоненттер радар системаларында, спутниктик байланышта жана учактар менен космостук аппараттар үчүн электр энергиясында колдонулат. SiC негизиндеги материалдар аэрокосмостук системаларды космосто жана бийик тоолуу чөйрөдө учураган экстремалдык шарттарда аткарууга мүмкүндүк берет.

Өнөр жай автоматташтыруу:Өнөр жай автоматикасында SiC компоненттери катаал чөйрөдө иштеши керек болгон сенсорлордо, кыймылдаткычтарда жана башкаруу системаларында колдонулат. SiC негизиндеги приборлор жогорку температурага жана электрдик стресстерге туруштук бере алган эффективдүү, узак мөөнөттүү компоненттерди талап кылган машиналарда колдонулат.

Продукт спецификациялар таблицасы

Менчик	Спецификация
Баа	Өндүрүш (Думмий/Прайм)
Өлчөмү	6 дюймдук
Диаметри	150,25 мм ± 0,25 мм
Калыңдыгы	>10мм (Ыңгайлаштырылган)
Surface Orientation	4° <11-20> ± 0,2°
Негизги жалпак багыт	<1-100> ± 5°
Негизги жалпак узундук	47,5 мм ± 1,5 мм
Каршылык	0,015–0,0285 Ω·см
Микропродукттун тыгыздыгы	<0,5
Бор казып алуу тыгыздыгы (BPD)	<2000
Бурама бурамынын дислокациясынын тыгыздыгы (TSD)	<500
Политиптик аймактар	Жок
Edge Indents	<3, 1мм туурасы жана тереңдиги
Edge Cracks	3, <1мм/ад
Таңгактоо	Вафель кутусу

Корутунду

6 дюймдук SiC куймасы – N-типтеги Dummy/Prime классы жарым өткөргүч өнөр жайынын катуу талаптарына жооп берген премиум материал болуп саналат. Анын жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк, өзгөчө каршылык, жана төмөн кемчилик тыгыздыгы өнүккөн электр электрондук аппараттарды, автомобиль компоненттерин, телекоммуникациялык системаларды жана кайра жаралуучу энергия системаларын өндүрүү үчүн мыкты тандоо болуп саналат. Ыңгайлаштырылган калыңдыгы жана тактык спецификациялары бул SiC куймасын колдонуунун кеңири спектрине ылайыкташтырылышын камсыздап, талап кылынган шарттарда жогорку өндүрүмдүүлүктү жана ишенимдүүлүктү камсыз кылат. Көбүрөөк маалымат алуу үчүн же буйрутма берүү үчүн, биздин сатуу тобу менен байланышыңыз.