4H/6H-P 6 дюймдук SiC пластинасы Нөл MPD класстагы өндүрүштүк класстагы макет классы
4H/6H-P тибиндеги SiC курама субстраттары Жалпы параметрлер таблицасы
6 дюймдук диаметрдеги кремний карбиди (SiC) субстраты Техникалык мүнөздөмө
| Баалоо | Нөлдүк MPD өндүрүшүДәреже (Z) (Баа) | Стандарттык өндүрүшБаа (P) (Баа) | Макет даражасы (D (Баа) | ||
| Диаметри | 145,5 мм ~ 150,0 мм | ||||
| Калыңдыгы | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Вафли багыты | -Offогу: 4H/6H-P үчүн [1120] багытында 2.0°-4.0° ± 0.5°, Огу боюнча: 3C-N үчүн 111〉± 0.5° | ||||
| Микротүтүктүн тыгыздыгы | 0 см-2 | ||||
| Каршылык | p-типтеги 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏсм | ≤0.3 Ωꞏсм | ||
| n-типтеги 3C-N | ≤0.8 мΩꞏсм | ≤1 м Ωꞏсм | |||
| Негизги тегиздик багыты | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| Негизги жалпак узундук | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Экинчилик жалпак узундук | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Экинчилик тегиздик багыты | Кремний бети өйдө каратылат: Prime flat дан ± 5.0° 90° CW. | ||||
| Четтен чыгаруу | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм | ≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм | |||
| Кескиндик | Полякча Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0.2 нм | Ra≤0.5 нм | ||||
| Жогорку интенсивдүү жарыктын кесепетинен четтериндеги жаракалар | Эч бири | Жалпы узундук ≤ 10 мм, бир узундук ≤ 2 мм | |||
| Жогорку интенсивдүү жарык менен алты бурчтуу плиталар | Жалпы аянт ≤0,05% | Жалпы аянты ≤0.1% | |||
| Жогорку интенсивдүү жарык менен политиптүү аймактар | Эч бири | Жалпы аянты ≤3% | |||
| Визуалдык көмүртек кошулмалары | Жалпы аянт ≤0,05% | Жалпы аянты ≤3% | |||
| Жогорку интенсивдүү жарык менен кремний бетиндеги чийиктердин пайда болушу | Эч бири | Топтолгон узундук ≤1 × пластинанын диаметри | |||
| Жогорку интенсивдүүлүктөгү жарык менен жээк чиптери | Туурасы жана тереңдиги ≥0,2 мм болушуна жол берилбейт | 5ке уруксат берилген, ар бири ≤1 мм | |||
| Кремнийдин бетинин жогорку интенсивдүүлүк менен булганышы | Эч бири | ||||
| Таңгактоо | Көп вафлилүү кассета же бир вафлилүү контейнер | ||||
Эскертүүлөр:
※ Кемчиликтердин чектөөлөрү пластинанын бүт бетине, четтерин четтетүү аймагынан тышкары, тиешелүү. # Чийиктерди Si бетинде текшерүү керек
Нөлдүк MPD классындагы жана өндүрүштүк же макет классындагы 4H/6H-P тибиндеги 6 дюймдук SiC пластинасы өнүккөн электрондук колдонмолордо кеңири колдонулат. Анын эң сонун жылуулук өткөрүмдүүлүгү, жогорку бузулуу чыңалуусунун жана катаал чөйрөлөргө туруктуулугу аны жогорку чыңалуудагы өчүргүчтөр жана инверторлор сыяктуу кубаттуулуктагы электроника үчүн идеалдуу кылат. Нөлдүк MPD классы минималдуу кемчиликтерди камсыз кылат, бул жогорку ишенимдүүлүктөгү түзмөктөр үчүн абдан маанилүү. Өндүрүш классындагы пластиналар кубаттуулуктагы түзмөктөрдү жана RF колдонмолорун ири масштабдуу өндүрүүдө колдонулат, мында иштөө жана тактык абдан маанилүү. Ал эми макет класстагы пластиналар процессти калибрлөө, жабдууларды сыноо жана прототиптөө үчүн колдонулат, бул жарым өткөргүч өндүрүш чөйрөсүндө ырааттуу сапатты көзөмөлдөөгө мүмкүндүк берет.
N-типтеги SiC композиттик субстраттарынын артыкчылыктары төмөнкүлөрдү камтыйт
- Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү: 4H/6H-P SiC пластинасы жылуулукту натыйжалуу таркатып, аны жогорку температурадагы жана жогорку кубаттуулуктагы электрондук колдонмолорго ылайыктуу кылат.
- Жогорку бузулуу чыңалуусуЖогорку чыңалууларды үзгүлтүккө учуратпай иштетүү жөндөмү аны электр электроникасы жана жогорку чыңалуудагы коммутациялык колдонмолор үчүн идеалдуу кылат.
- Нөлдүк MPD (микро түтүк кемчилиги) даражасыМинималдуу кемчиликтердин тыгыздыгы жогорку ишенимдүүлүктү жана иштөөнү камсыз кылат, бул талап кылынган электрондук түзмөктөр үчүн абдан маанилүү.
- Массалык өндүрүш үчүн өндүрүштүк классКатуу сапат стандарттары менен жогорку өндүрүмдүүлүктөгү жарым өткөргүч түзүлүштөрдү ири масштабда өндүрүү үчүн ылайыктуу.
- Сыноо жана калибрлөө үчүн макеттик классКымбат баалуу өндүрүштүк класстагы пластиналарды колдонбостон, процессти оптималдаштырууга, жабдууларды сыноого жана прототип түзүүгө мүмкүндүк берет.
Жалпысынан алганда, нөлдүк MPD классындагы, өндүрүштүк класстагы жана макет класстагы 4H/6H-P 6 дюймдук SiC пластиналары жогорку өндүрүмдүү электрондук түзүлүштөрдү иштеп чыгуу үчүн олуттуу артыкчылыктарды берет. Бул пластиналар жогорку температурада иштөөнү, жогорку кубаттуулук тыгыздыгын жана натыйжалуу кубаттуулукту конвертациялоону талап кылган колдонмолордо өзгөчө пайдалуу. Нөлдүк MPD классы түзмөктүн ишенимдүү жана туруктуу иштеши үчүн минималдуу кемчиликтерди камсыз кылат, ал эми өндүрүштүк класстагы пластиналар катуу сапатты көзөмөлдөө менен ири масштабдуу өндүрүштү колдойт. Макет класстагы пластиналар процессти оптималдаштыруу жана жабдууларды калибрлөө үчүн үнөмдүү чечимди камсыз кылат, бул аларды жогорку тактыктагы жарым өткөргүчтөрдү жасоо үчүн алмаштыргыс кылат.
Толук диаграмма
