6 дюймдук HPSI SiC субстрат пластинкасы кремний карбидинин жарым-коргоочу SiC пластинкасы

SiC монокристалл үчүн учурдагы өсүү ыкмалары, негизинен, төмөнкү үч камтыйт: суюк фаза ыкмасы, жогорку температурада химиялык буу коюу ыкмасы жана физикалык буу фазалык транспорт (PVT) ыкмасы.Алардын ичинен PVT ыкмасы SiC монокристаллынын өсүшү үчүн эң изилденген жана жетилген технология болуп саналат жана анын техникалык кыйынчылыктары:

(1) "катуу - газ - катуу" кайра кристаллдашуу процессин аяктоо үчүн жабык графит камерасынын үстүндөгү 2300 ° C жогорку температурадагы SiC монокристалы, өсүү цикли узак, контролдоо кыйын жана микротүтүкчөлөргө, кошулмаларга жана башка кемчиликтер.

(2) Кремний карбиди монокристалы, анын ичинде 200дөн ашык ар кандай кристалл түрлөрү, бирок жалпы бир гана кристалл түрүн өндүрүү, өсүү процессинде кристалл түрүндөгү трансформацияны өндүрүү оңой, натыйжада көп типтүү кошулмалардын кемчиликтери, бир кристаллдын даярдоо процесси конкреттүү кристалл түрү процесстин туруктуулугун көзөмөлдөө кыйын, мисалы, 4H-типтин учурдагы негизги агымы.

(3) Кремний карбидинин монокристаллынын өсүү термикалык талаасында температура градиенти болот, натыйжада кристаллдын өсүү процессинде ички ички стресс жана анын натыйжасында дислокациялар, каталар жана башка кемчиликтер пайда болот.

(4) Кремний карбидинин монокристаллдык өсүү процесси тышкы аралашмалардын киришин катуу көзөмөлгө алышы керек, андыктан өтө жогорку тазалыктагы жарым изоляциялык кристалл же багыттуу кошулган өткөргүч кристалл алуу үчүн.RF түзүлүштөрүндө колдонулган жарым изоляциялоочу кремний карбид субстраттары үчүн электрдик касиеттерге кристаллдагы аралашмалардын өтө төмөн концентрациясын жана чекиттик кемчиликтердин өзгөчө түрлөрүн көзөмөлдөө аркылуу жетишүү керек.