Кремний 8 дюймдук жана 6 дюймдук SOI (Кремний-Изоляциялоочу) пластинкасындагы SOI пластиналык изолятору

Үстүнкү кремний катмарын, изоляциялоочу оксид катмарын жана төмөнкү кремний субстратын камтыган үч катмарлуу SOI пластинкасы микроэлектроникада жана RF домендеринде теңдешсиз артыкчылыктарды сунуш кылат.Жогорку кремний катмары, жогорку сапаттагы кристаллдык кремнийди камтыган, татаал электрондук компоненттерди тактык жана натыйжалуулук менен интеграциялоого көмөктөшөт.Паразиттик сыйымдуулукту азайтуу үчүн кылдаттык менен иштелип чыккан изоляциялоочу оксид катмары керексиз электрдик тоскоолдуктарды азайтып, аппараттын иштешин жакшыртат.Төмөнкү кремний субстрат механикалык колдоону камсыз кылат жана кремнийди иштетүүнүн учурдагы технологиялары менен шайкеш келүүнү камсыз кылат.

Микроэлектроникада SOI пластинкасы жогорку ылдамдыкта, кубаттуулукта жана ишенимдүүлүктө өнүккөн интегралдык микросхемаларды (IC) жасоо үчүн негиз болуп кызмат кылат.Анын үч катмарлуу архитектурасы CMOS (кошумча металл-оксид-жарым өткөргүч) ICs, MEMS (микро-электро-механикалык системалар) жана кубаттуу түзүлүштөр сыяктуу татаал жарым өткөргүч түзүлүштөрдү иштеп чыгууга мүмкүндүк берет.

RF доменинде SOI пластинкасы RF түзүлүштөрүн жана системаларын долбоорлоодо жана ишке ашырууда эң сонун көрсөткүчтөрдү көрсөтөт.Анын төмөн мите сыйымдуулугу, жогорку бузулуу чыңалуусу жана мыкты изоляциялык касиеттери аны RF өчүргүчтөрү, күчөткүчтөрү, фильтрлери жана башка RF компоненттери үчүн идеалдуу субстрат кылат.Кошумчалай кетсек, SOI пластинкасынын мүнөздүү радиацияга толеранттуулугу аны аэрокосмостук жана коргонуу колдонмолоруна ылайыктуу кылат, мында катаал чөйрөдө ишенимдүүлүк биринчи орунда турат.

Андан тышкары, SOI пластинкасынын ар тараптуулугу фотоникалык интегралдык микросхемалар (PICs) сыяктуу өнүгүп келе жаткан технологияларга жайылтылат, мында оптикалык жана электрондук компоненттердин бирдиктүү субстраттагы интеграциясы кийинки муундагы телекоммуникациялар жана маалымат байланыш системалары үчүн убада берет.

Кыскача айтканда, үч катмарлуу кремний-он-изолатор (SOI) пластинкасы микроэлектроника жана RF тиркемелериндеги инновациялардын алдыңкы сабында турат.Анын уникалдуу архитектурасы жана өзгөчө аткаруу мүнөздөмөлөрү ар түрдүү тармактарда прогресске жол ачат, прогресске түрткү берет жана технологиянын келечегин түзөт.