English

Диаметри 50,8 мм болгон 2 дюймдук SiC пластиналары 6H же 4H жарым изоляциялык SiC субстраттары

Диаметри 50,8 мм болгон 2 дюймдук SiC пластиналары 6H же 4H жарым изоляциялык SiC субстраттары. Сунушталган сүрөт.
  • Диаметри 50,8 мм болгон 2 дюймдук SiC пластиналары 6H же 4H жарым изоляциялык SiC субстраттары
  • Диаметри 50,8 мм болгон 2 дюймдук SiC пластиналары 6H же 4H жарым изоляциялык SiC субстраттары
  • Диаметри 50,8 мм болгон 2 дюймдук SiC пластиналары 6H же 4H жарым изоляциялык SiC субстраттары

Кыскача сүрөттөмө:

Кремний карбиди (SiC) - IV-IV топтордун экилик кошулмасы, ал элементтердин мезгилдик системасынын IV тобундагы жалгыз туруктуу катуу кошулма, ал маанилүү жарым өткөргүч. SiC эң сонун жылуулук, механикалык, химиялык жана электрдик касиеттерге ээ, бул аны жогорку температуралуу, жогорку жыштыктагы жана жогорку кубаттуулуктагы электрондук түзүлүштөрдү жасоо үчүн эң мыкты материалдардын бири кылат.


Өзгөчөлүктөрү

Кремний карбидинин субстратын колдонуу

Кремний карбидинин негизин каршылык көрсөтүүсүнө жараша өткөргүч түргө жана жарым изоляциялоочу түргө бөлүүгө болот. Өткөргүч кремний карбидинин түзүлүштөрү негизинен электр унааларында, фотоэлектрдик энергия өндүрүүдө, темир жол транспортунда, маалымат борборлорунда, кубаттоодо жана башка инфраструктурада колдонулат. Электр унаалары өнөр жайында өткөргүч кремний карбидинин негизине болгон суроо-талап чоң жана учурда Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng жана башка жаңы энергиялык унаа компаниялары кремний карбидинин дискреттик түзүлүштөрүн же модулдарын колдонууну пландаштырып жатышат.

Жарым изоляцияланган кремний карбиддик түзүлүштөр негизинен 5G байланышында, унаа байланышында, улуттук коргонуу колдонмолорунда, маалыматтарды берүү, аэрокосмостук жана башка тармактарда колдонулат. Жарым изоляцияланган кремний карбиддик субстратында галлий нитридинин эпитаксиалдык катмарын өстүрүү менен, кремний негизиндеги галлий нитридинин эпитаксиалдык пластинасын андан ары микротолкундуу RF түзүлүштөрүнө айландырса болот, алар негизинен RF тармагында колдонулат, мисалы, 5G байланышындагы кубат күчөткүчтөр жана улуттук коргонуудагы радио детекторлор.

Кремний карбидинин субстрат продукцияларын өндүрүү жабдууларды иштеп чыгууну, чийки затты синтездөөнү, кристаллдарды өстүрүүнү, кристаллдарды кесүүнү, пластиналарды иштетүүнү, тазалоону жана сыноону жана башка көптөгөн байланыштарды камтыйт. Чийки зат жагынан алганда, Соншань бор өнөр жайы рынокко кремний карбидинин чийки затын берет жана чакан партиялар менен сатууга жетишти. Кремний карбиди менен көрсөтүлгөн үчүнчү муундагы жарым өткөргүч материалдар заманбап өнөр жайда маанилүү ролду ойнойт, жаңы энергиялык унаалардын жана фотоэлектрдик колдонмолордун сиңүүсүнүн тездеши менен кремний карбидинин субстратына болгон суроо-талап бурулуш чекитин баштоо алдында турат.

Толук диаграмма

2 дюймдук SiC пластиналары 6H (1)
2 дюймдук SiC пластиналары 6H (2)
  • Мурунку:
  • Кийинки:

    • Окшош өнүмдөр

    Билдирүүңүздү бул жерге жазып, бизге жөнөтүңүз
    Издөө үчүн Enter баскычын же жабуу үчүн ESC баскычын басыңыз