2 дюймдук SiC Wafers 6H же 4H Жарым изоляциялоочу SiC субстраттары Dia50.8mm

Кремний карбид субстрат каршылык боюнча өткөргүч түрү жана жарым изоляциялоочу түргө бөлүнөт.Өткөргүч кремний карбиддик түзүлүштөр негизинен электр унааларында, фотоэлектрдик энергияны өндүрүүдө, темир жол транзитинде, маалымат борборлорунда, заряддоодо жана башка инфраструктурада колдонулат.Электр унаа өнөр жайы өткөргүч кремний карбидинин субстраттарына чоң суроо-талапка ээ жана азыркы тапта Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng жана башка жаңы энергия унаа компаниялары кремний карбидинин дискреттик түзүлүштөрүн же модулдарын колдонууну пландаштырып жатышат.

Жарым изоляцияланган кремний карбиддик аппараттар негизинен 5G байланыш, унаа байланышы, улуттук коргонуу колдонмолору, маалыматтарды берүү, аэрокосмостук жана башка тармактарда колдонулат.Жарым изоляцияланган кремний карбидинин субстратында галлий нитридинин эпитаксиалдык катмарын өстүрүү менен кремний негизиндеги галлий нитридинин эпитаксиалдык пластинасын андан ары микротолкундуу RF приборлоруна жасоого болот, алар негизинен RF тармагында колдонулат, мисалы, 5G байланышындагы күч күчөткүчтөр жана улуттук коргонуудагы радио детекторлор.

кремний карбид субстрат азыктарын өндүрүү жабдууларды иштеп чыгуу, чийки зат синтези, кристалл өсүшү, кристалл кесүү, Wafer кайра иштетүү, тазалоо жана сыноо, жана башка көптөгөн шилтемелерди камтыйт.чийки зат жагынан, Songshan Boron өнөр жайы рынок үчүн кремний карбид чийки зат менен камсыз кылат, жана чакан партия сатуу жетишти.Кремний карбиди менен көрсөтүлгөн үчүнчү муундагы жарым өткөргүч материалдар заманбап өнөр жайда негизги ролду ойнойт, жаңы энергетикалык унаалардын жана фотоэлектрдик колдонмолордун киришинин ылдамдашы менен кремний карбидинин субстратына суроо-талап ийилүүчү чекитке жакындап калды.