SiO2 Жука пленка термикалык оксиди кремний пластинасы 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм 12 дюйм

Кычкылданган кремний пластиналарды өндүрүүнүн негизги процесси, адатта, төмөнкү кадамдарды камтыйт: монокристаллдык кремнийдин өсүшү, пластинкаларга кесүү, жылмалоо, тазалоо жана кычкылдануу.

Монокристаллдык кремнийдин өсүшү: Биринчиден, монокристаллдык кремний жогорку температурада Czochralski ыкмасы же Float-зоналык ыкмасы сыяктуу ыкмалар менен өстүрүлөт.Бул ыкма кремний монокристаллдарын жогорку тазалыкка жана решетка бүтүндүгүн даярдоого мүмкүндүк берет.

Кесүү: Өстүрүлгөн монокристаллдуу кремний, адатта, цилиндр формасында болот жана вафли субстрат катары колдонула турган жука пластинкаларга кесилиши керек.Кесүү, адатта, алмаз кескич менен жүзөгө ашырылат.

Жылтыратуу: Кесилген пластинанын бети тегиз эмес болушу мүмкүн жана жылмакай бетти алуу үчүн химиялык-механикалык жылмалоону талап кылат.

Тазалоо: Жылмаланган вафли кирлерди жана чаңды тазалоо үчүн тазаланат.

Кычкылдандыруучу: Акыр-аягы, кремний пластинкалары анын электрдик касиеттерин жана механикалык күчүн жакшыртуу үчүн кремний диоксидинин коргоочу катмарын түзүү үчүн кычкылдануу дарылоо үчүн жогорку температурадагы мешке коюлат, ошондой эле интегралдык микросхемаларда изоляциялык катмар катары кызмат кылат.

Кычкылданган кремний пластинкаларынын негизги колдонулушу интегралдык микросхемаларды өндүрүүнү, күн батареяларын өндүрүүнү жана башка электрондук түзүлүштөрдү өндүрүүнү камтыйт.Кремний кычкылы пластиналар мыкты механикалык касиеттери, өлчөмдүү жана химиялык туруктуулугу, жогорку температурада жана жогорку басымда иштөө жөндөмдүүлүгү, ошондой эле жакшы изоляциялык жана оптикалык касиеттери менен жарым өткөргүч материалдар тармагында кеңири колдонулат.

Анын артыкчылыктарына толук кристалл структурасы, таза химиялык курамы, так өлчөмдөрү, жакшы механикалык касиеттери жана башкалар кирет. Бул өзгөчөлүктөр кремний кычкылы пластинкаларын жогорку өндүрүмдүүлүктөгү интегралдык микросхемаларды жана башка микроэлектрондук түзүлүштөрдү жасоо үчүн өзгөчө ылайыктуу кылат.